40种封装技术汇编

１、ＢGA封装(ballｇridａrｒaｙ)

球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以 代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过20０,是多引脚LSＩ用的一种封装。封装本体也可做得比QFＰ(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚BＧＡ仅为31ｍm见方;而引脚中心距为0.5mm的３０４引脚QＦP为40mm见方。而且BＧA不用担心 QFＰ那样的引脚变形问题。

该封装是美国Mｏtoroｌａ公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚（凸点)中心距为1.5ｍm,引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发５00引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为ＧPAC(见ＯＭPAＣ和GPＡＣ）。

带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QＦP封装之一,在封装本体的四个角设置突
起（缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处
理器和ＡSＩC等电路中采用此封装。引脚中心距0．63５mm，引脚数从84到
196 左右(见QFP)。

3、碰焊ＰGA封装(ｂuｔｔjoｉｎtpin grid aｒｒay)

表面贴装型 PＧＡ 的别称(见表面贴装型ＰＧA)。 4、C-(ｃeramiｃ) 封装

表示陶瓷封装的记号。例如，ＣDＩＰ表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。

5、Cｅrｄiｐ封装

用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM,DＳＰ(数字信号处理器）等电路。带有玻璃窗口的Cｅｒdip

用于紫外线擦除型EＰＲＯM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.mｍ,引脚数从8到42。在日本,此封装表示为DIＰ-Ｇ(G即玻璃密封的

意思)。

电路。带有窗口的 Cｅrquad用 于封装 EPＲOM电路。散热性比塑料 QFP好,在
自然空冷条件下可容许1．5~ 2W 的功率。但封装成本比塑料

ＱFP高3~５倍。引脚中心距有１.27mｍ、０.8mm、0．6５mm、0.5mm、０.4mm等多种规格。引脚数从3２到368。

带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型ＥＰROM以及带有ＥPROM的微机电路等。此封装也称为QFＪ、QＦJ-G(见QＦJ)。

7、CLCC封装(ｃeramicleadｅｄchipcarrieｒ)

带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，

呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPＲOM的微

机电路等。此封装也称为QＦJ、QＦJ-G（见QFJ）。

8、COB 封装 (ｃhｉp on boａrd) 方法实现，并用树脂覆 盖以确保可＊性。虽然 ＣＯＢ是最简单的裸芯片贴装技术,

但它的封装密度远不如ＴＡＢ和倒片焊技术。

9、DFＰ(duａlflaｔpａckagｅ)

双侧引脚扁平封装。是ＳOP的别称(见SＯP)。以前曾有此称法,现在已基本

上不用。

10、DIC（ｄualin-line ceraｍicｐackａge)
陶瓷DIＰ（含玻璃密封)的别称(见DIP）．

１1、ＤIL(dｕaｌｉn-ｌinｅ)ＤIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。

12、DIP(dualiｎ－lｉnepackage)双列直插式封装。

插装型封装之一,引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。 DIP 是 引脚中心距2．5４ｍm,引脚数从6 到6４。封装宽度通常为15．2mm。有的把宽 最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑 IＣ,存贮器 LSI，微机电路等。

13、DSＯ(dｕaｌsmalｌｏｕt-lint)
双侧引脚小外形封装。SＯＰ的别称(见ＳOP)。部分半导体厂家采用此名称。

１4、ＤICP(ｄｕaｌｔapecarrｉeｒpａckagｅ）
双侧引脚带载封装。ＴCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAＢ(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LＳI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIＡJ（日本电子机械工业）会标准规定,将DIＣＰ命名为DTP。

１5、DＩＰ（duaｌtapｅｃarｒｉｅrpaｃｋａge)
同上。日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见ＤTＣＰ)。

分半导体厂家采用此名称。

17、Flｉp-chip
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。

但如果基板的热膨胀系数与ＬＳＩ芯片不同，就会在接合处产生反应,从而影 响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固 LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的

基板材料。其中SiS756北桥芯片采用最新的Ｆlip-chip封装，全面支持AMDＡthlon6４/FX处理器。支持PCＩＥxpresｓX16接口，提供显卡最高8ＧB/s双向传输带宽。支持最高HyｐerTransportＴｅchnoloｇy，最高2000ＭT/sMHz的传输带宽。内建矽统科技独家AdvａncedHyｐerSｔｒeamingTecｈｎｏlogy,MｕTＩＯL1GTeｃhｎoｌｏｇy。

1８、FQFP(ｆiｎepitch quaｄfｌaｔpackage)

小引脚中心距ＱFP。通常指引脚中心距小于0.６5ｍｍ的QFP（见QＦP)。部分导导体厂家采用此名称。塑料四边引出扁平封装PQFP(PlasｔicQuadFlａt

规模或超大集成电路都采用这种封装形式,引脚数量一般都在10０个以上。Ｉｎtｅｌ系列 CＰU 中80286、８038６和某些４８6 主板芯片采用这种封装形式。 此种封装形 Package）PＱFP 的封装形式最为普遍。其芯片引脚之间距离很小,引脚很细,很多大

去的芯片,如果不用专用工具是很难拆卸下来的。ＳＭT技术也被广泛的使用在芯片焊接领域,此后很多高级的封装技术都需要使用SＭＴ焊接。

以下是一颗AＭD的QFP封装的286处理器芯片。0．５mm焊区中心距，2０8根I/O引脚,外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×1０mm，则芯片面积/封装面积=１0×10/２8×28＝１:7．8，由此可见QFP比ＤIP的封装尺寸大大减小了。

PQＦP 封装的主板声卡芯片 19、ＣPAC（ｇlobetoppad array ｃａｒrier)

美国Moｔoroｌa公司对BGＡ的别称(见BGA）。

２０、CQFＰ軍用晶片陶瓷平版封裝(CeramｉｃQuadFlat－ｐackPａckａge)

右邊這顆晶片為一種軍用晶片封裝（ＣＱFP),這是封裝還沒被放入晶體以前的樣

子。這種封裝在軍用品以及航太工業用晶片才有機會見到。晶片槽旁邊有厚厚的

黃金隔層(有高起來,照片上不明顯)用來防止輻射及其他干擾。外圍有螺絲孔可以

將晶片牢牢固定在主機板上。而最有趣的就是四周的鍍金針腳，這種設計可以大大

減少晶片封裝的厚度並提供極佳的散熱。

２１、H－(wｉｔｈheaｔsink)
表示带散热器的标记。例如,HSＯP表示带散热器的SＯＰ。

2２、PiｎGｒｉｄ Arrａy(SurｆaceＭｏｕｎt Type)

表面贴装型ＰＧA。通常ＰGA为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGＡ在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从１.5ｍm到2.0mｍ。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊PＧA。因为引脚中心距只有1.2７mｍ，比插装

型PGA小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250～５28)，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。

PGＡ封装威刚迷你DDR333本内存

J 形引脚芯片载体。指带窗口 CLＣC 和带窗口的陶瓷ＱＦＪ的别称(见ＣLＣ 23、ＪLCC 封装(J-ｌeadedchip carrｉer)

２4、LCC封装（Leadlesschip caｒｒｉer)

无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装,也称为陶瓷QFN或QＦN-C(见QFN）。

２5、LＧA 封装(laｎd ｇridarraｙ)

触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有２27触点(1．2７mm中心距）和４47触点（2．５4mｍ中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑LＳI电路。

LGA与QFP相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小,对于高速LＳI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高,现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。

AMD 的2.６６GHz 双核心的 Opｔeroｎ F 的 Santａ Ｒosa 平台 26、LOＣ封 构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架

布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达１ｍm左右宽

度。

日立金属推出2.9mm见方3轴加速度传感器

2７、ＬQFＰ封装(low pｒo ｆlat ｐackaｇe) 薄型 QFＰ。指封装本体厚度为１.4ｍｍ的 ＱFP,是日本电子机械工业会根据
制定的新 ＱFP 外形规格所用的名称。

２8、L-ＱUAD封装

陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑ＬＳＩ开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚（0.５ｍm中心距)和1６0引脚（0.６５mm中心距)的ＬSI逻辑用封

装,并于19９3年１0月开始投入批量生产。

２9、MCM封装(ｍｕlti-chipmodule）

多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。

根据基板材料可分为MCM-L，MCM-C和ＭCＭ－D三大类。

MCＭ－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么
高,成本较低。

ＭCＭ-C是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IＣ类似。两者无明显差别。布线密度高于MＣ

M-L。

MCM-D是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Ａl作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。

30、MFP封装（miniｆlatpackage)

小形扁平封装。塑料ＳOP或SSOP的别称(见SOＰ和SSOP)。部分半导体

厂家采用的名称。

３1、MQFＰ封装 (metｒic qｕad fｌat paｃｋage) 脚中心距为0.６5mm、本体厚度 为3.8mｍ~2.0mm 的标准 QFP(见 QFP）。 按照 JＥＤEC(美国联合电子设备委员会)标准对 QFP 进行的一种分类。指引