射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性

篇1：射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性

射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性

用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的'影响.结果表明,溅射功率100W,衬底温度300～400℃时,适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长.在样品的室温光致发光谱中观察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430 nm附近的蓝光带,并对蓝光带的起源进行了初步探讨.

作 者：朋兴平王志光 宋银 季涛 臧航 杨映虎 金运范  作者单位：朋兴平(中国科学院近代物理研究所,兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000)

王志光,宋银,臧航,金运范(中国科学院近代物理研究所,兰州,730000)

季涛,杨映虎(兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000)

刊 名：中国科学G辑  ISTIC PKU英文刊名：SCIENCE IN CHINA(SERIES G) 年，卷(期)： 37(2) 分类号：O6 关键词：ZnO薄膜   X射线衍射谱   光致发光谱   衬底温度   射频反应溅射  

篇2：ZnO薄膜制备及其发光特性研究

ZnO薄膜制备及其发光特性研究

用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响.通过对样品的.X射线衍射(XRD)、吸收光谱和光致发光(PL)光谱的测量结果表明,衬底温度为230 ℃、退火温度为400 ℃时样品结晶性能最佳,并具有最强的紫外光发射(380 nm).

作 者：王晶 张希清 梅增霞 黄世华 徐征  作者单位：北方交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044 刊 名：光电子・激光  ISTIC EI PKU英文刊名：JOURNAL OF OPTOELECTRONICS・LASER 年，卷(期)： 13(11) 分类号：O484 关键词：ZnO薄膜   磁控溅射   光致发光(PL)  

篇3：退火对ZnO薄膜结构及发光特性的影响

退火对ZnO薄膜结构及发光特性的影响

生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的`,由其X光衍射得知,生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力.通过对样品光致发光光谱研究表明:分段退火样品在380 nm附近出现了单一激子发射峰,而最后退火样品却出现了与应变有关的Γ?5和Γ?6两激子发射峰,同时在两者的光致发光光谱中与深能级有关的荧光峰都未出现.

作 者：王金忠 杜国同 王新强 闫玮 马燕 姜秀英 杨树人 高鼎三 Liu Xiang Cao Hui Xu Junying CHANG R P H  作者单位：王金忠,杜国同,王新强,闫玮,马燕,姜秀英,杨树人,高鼎三(吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室,长春,130023)

Liu Xiang,Cao Hui,Xu Junying,CHANG R P H(Material Research Center, Northwestern University, U.S.A.)

刊 名：光学学报  ISTIC EI PKU英文刊名：ACTA OPTICA SINICA 年，卷(期)：2002 22(2) 分类号：O484.4+1 关键词：等离子体金属有机物化学汽相淀积   半高宽   光致发光光谱  

篇4：Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究

Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究

采用Sol-Gel法,结合旋转涂覆技术在Si(100)衬底上制备了ZnO:Cd薄膜,并对其在600～800 ℃热处理.X-射线衍射仪(XRD)结果表明,ZnO:Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构,且随着热处理温度的升高,(002)衍射峰的强度逐渐增强.峰半高宽(FWHM,ZnO(002))不断减小,并沿c轴择优取向生长;Cd掺杂后,未出现CdO或其他镉化物等杂质相,但在(002)峰-峰顶出现了分叉(多峰)现象.随着退火温度的升高,多峰消失,但这方面的报道甚少.扫描式电子显微镜(SEM)显示ZnO:Cd晶粒粒径分布情况及表面形貌特征.以石英为基片的透射光谱实验计算表明,ZnO:Cd薄膜的'禁带宽度平均为3.10 eV;800 ℃,x(Cd)=8%样品的禁带宽度为2.80 eV,比纯ZnO晶体禁带宽度(3.30 eV)明显减小,这说明适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度.

作 者：陈瀚 邓宏 CHEN Han DENG Hong  作者单位：陈瀚,CHEN Han(电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,6100;四川机电职业技术学院,四川,攀枝花,617000)

邓宏,DENG Hong(电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,6100)

刊 名：压电与声光  ISTIC PKU英文刊名：PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS 年，卷(期)： 29(6) 分类号：O782 关键词：Sol-Gel法   光学禁带   透射光谱   ZnO:Cd薄膜  

篇5：磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的`ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.

作 者：俞振南 姜乐 熊志华 郑畅达 戴江南 江风益 YU Zhen-nan JIANG Le XIONG Zhi-hua ZHENG Chang-da DAI Jiang-nan JIANG Feng-yi  作者单位：南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330031 刊 名：南昌大学学报（理科版）  ISTIC PKU英文刊名：JOURNAL OF NANCHANG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE) 年，卷(期)：2007 31(5) 分类号：O782+.9 关键词：ZnO   磁控溅射   透光光谱   粗糙度   溅射功率  

篇6：纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片(100)上制备Zn薄膜,然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜.对在硅片上制备的'Zn薄膜一次性进行高温掺杂、氧化获得纳米ZnO∶P和ZnO∶B薄膜.研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜结构、电学性能的影响.结果表明:氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大,液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能、结构特性和化学组分.

作 者：李健 宋淑芳 季秉厚  作者单位：内蒙古大学理工学院,呼和浩特,010021 刊 名：真空科学与技术学报  ISTIC EI PKU英文刊名：VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 22(2) 分类号：O484 关键词：真空蒸发   纳米ZnO薄膜   液态源掺杂   氧化  

篇7：自持金刚石厚膜上沉积生长ZnO薄膜及发光特性

自持金刚石厚膜上沉积生长ZnO薄膜及发光特性

采用磁控溅射在自持CVD金刚石厚膜的成核面上制备了ZnO薄膜,并实验研究了其生长特性和发光特性随O2和Ar流量的变化.利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)光谱、电子探针(EPMA)和霍尔测量对样品进行了检测.结果表明,在O2/Ar比值约为1时沉积得到的.ZnO薄膜取向较一致,呈现高阻的状态并且发光性能最好.

作 者：孙剑 白亦真 谷建峰 刘明 张庆瑜 姜辛 SUN Jian BAI Yi-zhen GU Jian-feng LIU Ming ZHANG Qing-yu JIANG Xin  作者单位：孙剑,白亦真,刘明,张庆瑜,SUN Jian,BAI Yi-zhen,LIU Ming,ZHANG Qing-yu(大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116023;大连理工大学,物理与光电工程学院,辽宁,大连,116023)

谷建峰,姜辛,GU Jian-feng,JIANG Xin(大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116023)

刊 名：发光学报  ISTIC PKU英文刊名：CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 年，卷(期)： 29(3) 分类号：O482.31 关键词：声表面波滤波器   金刚石   ZnO薄膜   磁控溅射  

篇8：ZnO:V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性

ZnO:V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性

利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在单晶硅(100)衬底上分别制备了ZnO:V薄膜和纯ZnO薄膜.为进一步研究后退火对ZnO:V薄膜结构和发光性质的影响,在两段式快速退火后又在800 ℃下进行了后退火处理.X 射线衍射的结果表明:后退火处理前,钒(V)的'掺入使ZnO结晶质量变差,而800 ℃退火处理后,从ZnO的衍射峰中可以看出,相对于无V杂样品其结晶质量变好.扫描电子显微镜形貌图中可以看出制备的样品薄膜颗粒大小均匀,薄膜致密度较高.光致发光(PL)谱的研究表明:ZnO:V薄膜在800 ℃退火处理后,紫外和绿带发光峰均增强,但紫外发光峰增强得更多;与同样条件下制备的纯ZnO薄膜的PL谱比较,发现V掺杂后样品的紫外激子复合发光峰的强度明显增强且峰位发生蓝移,而缺陷引起的绿带发光峰的强度降低.

作 者：张丽亭 魏凌 张杨 张伟风 ZHANG Li-ting WEI Ling ZHANG Yang ZHANG Wei-feng  作者单位：河南大学,物理与电子学院,河南,开封,475004 刊 名：发光学报  ISTIC PKU英文刊名：CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 年，卷(期)： 28(4) 分类号：O472.3 O482.31 关键词：ZnO   钒掺杂   光致发光   溶胶-凝胶法   薄膜  

篇9：制备温度对TiO2基膜表面非晶态ZnO薄膜发光特性影响的研究

制备温度对TiO2基膜表面非晶态ZnO薄膜发光特性影响的研究

利用电子束热蒸发镀膜的方式,以高纯度的.ZnO和TiO2颗粒为原料,以Si为基底在有氧的气氛中制备ZnO/TiO2复合薄膜.研究制备温度对ZnO/TiO2薄膜的结构以及发光性能的影响.通过拉曼(Raman)谱和X射线衍射(XRD)谱分析了ZnO/TiO2薄膜的结构,表明所制备的ZnO薄膜为非晶态.用光致发光 (PL) 谱表征了它的发光特性,数据表明在250 ℃时制备的非晶态ZnO薄膜在波长3 nm处具有极强的紫外光发射,在波长431 nm处发出很强的紫光,在波长519 nm处发出较强的黄绿光.

作 者：沈华 史林兴 王青 朱日宏 SHEN Hua SHI Lin-xing WANG Qing HE Yong ZHU Ri-hong  作者单位：沈华,王青,,朱日宏,SHEN Hua,WANG Qing,HE Yong,ZHU Ri-hong(南京理工大学,电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094)

史林兴,SHI Lin-xing(南京理工大学,理学院,江苏,南京,210094)

刊 名：应用光学  ISTIC PKU英文刊名：JOURNAL OF APPLIED OPTICS 年，卷(期)：2007 28(4) 分类号：O462.3 O484.4-34 关键词：ZnO   TiO2   电子束热蒸发   紫外光发射   非晶态薄膜  

篇10：N 掺杂ZnO薄膜的接触特性

N 掺杂ZnO薄膜的接触特性

氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.37 eV,激子束缚能为60 meV.ZnO因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器件和短波长激子型激光器等方面具有广阔的应用前景.而要实现大功率的光电器件,稳定可靠的`欧姆接触是必需的.研究了氮气氛条件下,不同温度快速退火对氮掺杂ZnO样品的电学性质以及Ni/Au与其接触特性的影响.原生样品表现为弱的肖特基接触,适当温度退火后,由肖特基转成了欧姆接触, 650 ℃退火后得到最小比接触电阻率8×10-4 Ω・cm2.霍尔测量表明550 ℃快速退火后,样品的导电类型由p型转变成了n型.采用AES和GXRD分别研究了不同退火温度下Au、Ni、Zn、O的深度分布变化及退火后所生成的合金相.实验结果表明,退火所导致的薄膜电学性质的变化以及界面态和表面态的增加是接触特性变化的原因.

作 者：单正平顾书林 朱顺明 刘伟 刘少波 刘雪冬 汤琨 张荣 郑有 SHAN Zheng-ping GU Shu-lin ZHU Shun-ming LIU Wei LIU Shao-bo LIU Xue-dong TANG Kun ZHANG Rong ZHENG You-liao  作者单位：南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 刊 名：发光学报  ISTIC PKU英文刊名：CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 年，卷(期)：2008 29(3) 分类号：O482.31 关键词：N'掺杂ZnO   Ni/Au   快速退火   欧姆接触