专利名称：垂直功率MOSFET专利类型：发明专利
发明人：江口聪司,中泽芳人,玉城朋宏申请号：CN201410006795.7申请日：20140107公开号：CN103915500A公开日：20140709
摘要：本发明涉及一种垂直功率MOSFET。当形成由嵌入外延法形成超结时，为了防止由于嵌入外延层中浓度波动造成的击穿电压降低，在沟槽形成蚀刻中通常执行调整干法蚀刻的圆锥角以形成倾斜柱。然而，根据本发明人的检查，已经明确，这样的方法使得设计越来越难以应对更高的击穿电压。在本发明中，在具有通过嵌入外延法形成的超结的垂直功率MOSFET中，使构成超结的每个衬底外延柱区中的中间衬底外延柱区中的浓度比衬底外延柱区内其他区的浓度高。
申请人：瑞萨电子株式会社
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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