专利名称：铁电体存储元件、其制造方法、以及使用其的存储
单元及使用其的无线通信装置
专利类型：发明专利
发明人：胁田润史,清水浩二,河井翔太,村濑清一郎申请号：CN201680068078.4申请日：20161121公开号：CN108292630A公开日：20180717
摘要：提供驱动电压低、可通过涂布而形成的铁电体存储元件。至少具备第一导电膜、第二导电膜、和设置于所述第一导电膜与所述第二导电膜之间的铁电体层的铁电体存储元件，其中，所述铁电体层含有铁电体粒子及有机成分，并且，所述铁电体粒子的平均粒径为30～500nm。
申请人：东丽株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市金杜律师事务所
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