专利名称：晶圆可接受测试结构及其形成方法专利类型：发明专利发明人：傅俊,陆志卿
申请号：CN201410124015.9申请日：20140328公开号：CN104952847A公开日：20150930
摘要：本发明提供了一种晶圆可接受测试结构及其形成方法，其中，所述晶圆可接受测试结构包括：介质层及形成于所述介质层中的一个或者多个电容，每个电容用以存储电荷以进行晶圆电荷测试。所述晶圆可接受测试结构的形成方法包括：提供介质层；在所述介质层中形成一个或者多个电容，每个电容用以存储电荷以进行晶圆电荷测试。通过形成于介质层中的一个或者多个电容锁定电荷以进行晶圆电荷测试，由于电容对于电荷的锁定能力非常强，特别的，相对于氧化层或者其他介质层表面的锁定能力要强得多，由此，避免/缓解了电荷随着时间的流逝而逃逸，从而提高了测试的准确性。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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