溅射靶、从该溅射靶形成的介电膜以及用于形成该介电膜的方法[发明专利]

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专利名称：溅射靶、从该溅射靶形成的介电膜以及用于形成该

介电膜的方法

专利类型：发明专利

发明人：国定照房,荻野悦男,筏井正博申请号：CN200610006348.7申请日：20060113公开号：CN1807680A公开日：20060726

摘要：一种根据本发明的溅射靶，其包括含NbO和TiO的氧化物烧结体，其中靶子中Ti原子的丰度比为包括两端值的70％～90％。优选地，所述氧化物烧结体具有不高于10Ω·cm的比电阻值。优选地，所述氧化物烧结体具有不大于7×10/K的热膨胀系数，以及不低于10×10cal/mm·K·sec的热传导率。

申请人：日本板硝子株式会社

地址：日本国东京都

国籍：JP

代理机构：中科专利商标代理有限责任公司

代理人：陈长会

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