专利名称：一种高密度IGZO旋转靶材的制造方法专利类型：发明专利
发明人：张士察,孙振德,徐齐光申请号：CN201610245095.2申请日：20160419公开号：CN105906338A公开日：20160831
摘要：本发明公开了一种高密度IGZO旋转靶材的制造方法，其包括以下步骤：1)将氧化铟、氧化镓、氧化锌粉体混合均匀并将粉体混合物的粒径研磨至D50为0.1～0.5μm；2)对步骤1)中的粉体混合物进行固相反应，随后向煅烧后的粉体混合物中加入粘结剂，并对煅烧后的粉体混合物进行干燥、造粒处理；3)将造粒后的粉体进行冷等静压处理，得到冷压坯；4)将步骤3)中的冷压坯进行脱脂处理，随后对脱脂后的IGZO素坯进行抽真空并向素坯孔隙中填充氧气处理；5)将步骤4)中经抽真空及充氧处理后的素坯在常压通氧气氛下进行常压烧结处理，即得所述的IGZO靶材。本发明通过对IGZO素坯进行抽真空、并向素坯的孔隙中充入氧气，从而制备了相对密度在99.5％以上的IGZO旋转靶材。
申请人：北京冶科纳米科技有限公司
地址：101100 北京市通州区经济开发区东区靓丽五街06号
国籍：CN
代理机构：北京英特普罗知识产权代理有限公司
代理人：齐永红
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