形成半导体器件的工艺过程[发明专利]

来源：欧得旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：形成半导体器件的工艺过程专利类型：发明专利

发明人：张海雷,李勇杰·汤姆,菲乌米·恩古延,穆萨米·布特,吴

伟·艾德温

申请号：CN00104671.3申请日：20000324公开号：CN1268770A公开日：20001004

摘要：形成半导体器件的工艺过程,包括在衬底内或在衬底上形成大体上垂直的边缘;在衬底上并沿垂直的边缘形成层(39);和蚀刻层(39)形成隔离层。进行蚀刻可以在(i)蚀刻化学物内的每种含氟蚀刻物质具有每其他原子至少5个氟原子的比率;(ii)在压力低于大约500毫乇时进行蚀刻;或者在功率密度低于大约0.75瓦特/厘米时进行蚀刻。在形成叠层邻接的隔离层而叠层高度不同时,或在形成与隔离层邻接的导电结构时该工艺特别有用。

申请人：摩托罗拉公司

地址：美国伊利诺斯

国籍：US

代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：杜日新

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文