专利名称：制造半导体器件的简化工艺专利类型：发明专利发明人：塩田国弘,奥村藤男申请号：CN03136416.0申请日：20030515公开号：CN1461041A公开日：20031210
摘要：一种使光掩模之间彼此准确对齐所需要的定位图案(4)；非晶硅(2)，其沉积到绝缘层(12)的除形成有定位图案的区域外的整个表面，以及将离子注入的图案和定位图案(4)同时转移到光抗蚀剂层(3)；使用光抗蚀剂掩膜(3)把掺杂剂杂质离子注入非晶硅层(2)，使用光抗蚀掩膜(3)选择性蚀刻绝缘层(12)；结果简化了工艺程序。
申请人：日本电气株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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