专利名称：外延生长方法专利类型：发明专利发明人：缪燕
申请号：CN201010514570.4申请日：20101021公开号：CN102456551A公开日：20120516
摘要：本发明公开了一种外延生长方法，包括如下步骤：第1步，选用硅烷作为硅源气体，以气相外延工艺生长第一外延层，反应温度为600～950℃，压力为20～200Torr，载气为氢气，氢气流量为15～45slm，所生长的第一外延层厚度为500～5000；第2步，选用二氯二氢硅作为硅源气体，以气相外延工艺生长第二外延层，反应温度为1000～1100℃，压力为20～200Torr，载气为氢气，氢气流量为20～60slm。本发明外延生长的方法能够较好的抑制外延自掺杂现象，并取得较高的生产效率。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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