专利名称：一种改进的共源共栅射频功率放大器专利类型：实用新型专利
发明人：陈高鹏,陈俊,刘磊,张辉,黄清华申请号：CN201520187264.2申请日：20150331公开号：CN204442297U公开日：20150701
摘要：本实用新型公开了一种改进的共源共栅射频功率放大器，在衬底上横向设有共源级晶体管栅极G1、共源级晶体管源极S、共栅级晶体管栅极G2、共栅级晶体管漏极D；射频输入端RFin通过金属走线连接共源级晶体管栅极G1，共源级晶体管源极S通过金属走线连接接地孔阵列，共栅级晶体管栅极G2通过金属走线连接偏置电路，共栅级晶体管漏极D通过金属走线连接射频输出端RFout。采用共源共栅结构，并优化版图结构，使得该射频功率放大器具有高增益、高功率、高线性度、高效率等性能优势，同时又保持与单晶体管共源结构射频功率放大器相当的版图面积，使其具有了成本优势。
申请人：宜确半导体(苏州)有限公司
地址：215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路150号
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人：范晴
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