98哈工大微电子考研初试题

一九九八年硕士研究生考试试题

考试科目：半导体物理 报考专业：微电子与固体电子学考试科目代码：[ ]

考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号，答在试题上无效。

1、 解释下列名词或概念。（20分）1. 状态密度 2. 复合中心

3. 施主与受主杂质 4. 简并半导体5. 异质结 6. 表面态

7. 半导体功函数 8. 热载流子

9. 直接和间接带隙式半导体 10.准费米能级

2、 画出零偏、正偏和反偏下p-n结的能带图。（10分）

3、 如图所示，有一均匀掺杂的n型半导体，在稳定光照下，体内均

匀的产生非平衡载流子，产生率为，寿命为，仅在一面上存在表面复合，表面复合速度为，载流子的扩散长度为，试确定非平衡载流子分布。（20分）

4、 试画出理想硅p+-n栅控二极管反向电流IR随栅压VG的变化曲

线，说明不同栅压范围内反向电流IR的构成。若SiO2层中存在Na+, 曲线如何变化？若Si-SiO2存在界面态，曲线将如何变化？

（30分）

5、 如图所示，半导体光敏电阻上表面受到均匀的频率为ν的恒定光照，光功率为Popt(w),

在电阻两端施加恒定偏压，光敏电阻内载流子的平均漂移速度为vd, 设表面反射率为R，吸收系数为α，光敏电阻厚度d>>1/α,量子产额为β，非平衡载流子寿命为τ，求：

(1) 光敏电阻中光生载流子的平均产生率；(2) 光生电流IP；（忽略暗电流）（3） 光电导增益

；(IPh为光生载流子被电极收集一次形成的电流)；(4) 提高器件增益的有效途径。（2分）