功率用半导体装置[发明专利]

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专利名称：功率用半导体装置专利类型：发明专利

发明人：大田浩史,角保人,木村淑,铃木纯二,入船裕行,斋藤涉申请号：CN201210068356.X申请日：20120315公开号：CN103022127A公开日：20130403

摘要：本发明的实施方式的功率用半导体装置具备第1导电类型的第1半导体层、高电阻的外延层、第2导电类型的第2半导体层、第1导电类型的第3半导体层、栅电极、第1电极、以及第2电极。高电阻的外延层具有第1柱区域和第2柱区域。第1柱区域具有交替排列的多个第1导电类型的第1柱和多个第2导电类型的第2柱。第2柱区域在第1柱区域侧的一端中具有第3柱，在另一端中具有第4柱。第3柱的实质的杂质量比第1柱的实质的杂质量以及第2柱的实质的杂质量还少，比第4柱的实质的杂质量还多。

申请人：株式会社东芝

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：许海兰

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