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PMOS OTP器件的建模方法

来源：欧得旅游网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN200910201881.2 （22）申请日 2009.11.30

（71）申请人上海华虹NEC电子有限公司

地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

（10）申请公布号 CN102081680B

（43）申请公布日 2012.08.01

（72）发明人王正楠

（74）专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司

代理人丁纪铁

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

PMOS OTP器件的建模方法

（57）摘要

本发明公开了一种PMOS OTP器件的

建模方法，根据PMOS OTP器件的结构和工作原理建立一套等效电路，等效电路结构主要包括一PMOS选择管、一PMOS浮栅管，选择管和浮栅管形成串联结构，二者的体电位相同，浮栅管漏端和体电位间接入一寄生二极管，浮栅管的栅接一电压控制电压源用以模拟浮栅管的栅耦合电压，所述电压控制电压源的电压和选择管的栅源电压差成正比且比例系数固定；再根据所述等效电路建立对应的SPICE宏模型。本发明能良好的描述PMOS

OTP器件的电特性同时又具有物理意义。法律状态

法律状态公告日

2011-06-01 2011-07-20 2012-08-01 2014-01-08

法律状态信息

公开

实质审查的生效授权

专利申请权、专利权的转移

法律状态

公开

实质审查的生效授权

专利申请权、专利权的转移

权利要求说明书

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说明书

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