专利名称：功率用半导体装置专利类型：发明专利
发明人：福优,别芝范之,石井隆一,山田隆行,三井贵夫,林功明申请号：CN201680085939.X申请日：20160526公开号：CN109155305A公开日：20190104
摘要：在功率用半导体装置中，将半导体元件(3)的保护膜(33)的厚度尺寸设为小于上侧电极(34)的厚度尺寸，因此，不会因利用金属烧结体(2)进行接合时来自上方的加压而导致按压保护膜(33)，将骑上保护膜(33)的倾斜面(33a)的上侧电极(34)剥离的力不起作用，因此，上侧电极(34)不会产生开裂，保持了半导体元件(3)的稳固性。此外，将利用焊料(6)与半导体元件(3)的上侧电极(34)接合的引线(7)设为对线膨胀系数优化后的铜与殷瓦合金的覆层材料，由此可实现优于现有的引线接合中的铝布线的耐久性。
申请人：三菱电机株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
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