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高初始磁导率、低损耗NiZn铁氧体材料及其制备方法[发明专利]

来源：欧得旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：高初始磁导率、低损耗NiZn铁氧体材料及其制备

方法

专利类型：发明专利

发明人：何时金,包大新,张涛,葛蕴刚申请号：CN200510060652.5申请日：20050906公开号：CN18616A公开日：20061115

摘要：本发明涉及一种高初始磁导率、低损耗的NiZn铁氧体及其制备方法，该铁氧体主成分以氧化物计算为：FeO 40～50mol％、NiO 10～18mol％、ZnO 30～38mol％、MnO 0～5mol％、CuO 0～10mol％，辅助成份VO为0～1wt％，MoO为0～0.5wt％。本发明可制备出起始磁导率大于2500、比损耗小于20×10(100kHz)、比温度系数小于4×10/℃(25～65℃)、居里温度大于100℃的高磁导率NiZn铁氧体材料。

申请人：横店集团东磁有限公司

地址：322118 浙江省东阳县横店工业区东磁有限公司

国籍：CN

代理机构：杭州杭诚专利事务所有限公司

代理人：尉伟敏

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