基于大信号等效电路模型的GaN器件工艺参数统计分析方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201680014212.2 （22）申请日 2016.07.12 （71）申请人 电子科技大学

地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

（10）申请公布号 CN107636656A

（43）申请公布日 2018.01.26

（72）发明人 徐跃杭;闻彰;徐锐敏;延波 （74）专利代理机构 北京高沃律师事务所

代理人 王戈

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

基于大信号等效电路模型的GaN器件工艺参数统计分析方法

（57）摘要

提出一种基于GaN器件等效电路模型的工

艺参数分析方法，所述分析方法包括：步骤一：建立GaN器件小信号等效电路模型，提取小信号模型参数；步骤二：建立GaN器件大信号等效电路模型，提取大信号模型参数，即非线性电流源模型参数和非线性电容模型参数；步骤三：以器件的实测微波特性为目标，调谐优化大信号模型参数；步骤四：基于建立的大信号模型提取多批次GaN器件的工艺参数，并对所述工艺参数进行

统计分析。上述GaN器件模型的工艺参数的统计分析方法首先建立GaN器件小信号等效电路模型，然后建立工艺参数关联的GaN器件大信号等效电路模型，通过多批次器件建模最终获得工艺参数统计分布，有用于器件成品率分析和工艺参数优化。

法律状态

法律状态公告日

2018-01-26 2018-01-26 2018-02-27

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

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实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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