专利名称：一种GaN基双异质结HEMT器件专利类型：实用新型专利
发明人：陈效双,姚路驰,王林,胡伟达,陆卫申请号：CN201620030231.1申请日：20160113公开号：CN205376535U公开日：20160706
摘要：本专利公开了一种GaN基双异质结HEMT器件，其结构依次为：蓝宝石衬底上依次形成的GaN缓冲层、AlInN势垒层、GaN沟道层、AlGaN隔离层、AlGaN势垒层，AlGaN栅介质
层，AlGaN栅介质层上形成的源极、栅极和漏极，以及源极和栅极之间形成的SiN源栅绝缘层、源极和漏极之间形成的SiN漏栅绝缘层。其特征是，在传统GaN HEMT器件的GaN缓冲层和GaN沟道层之间加入一层AlInN势垒层，利用AlInN材料的压电极化性质降低器件的电流崩塌效应，并形成AlGaN/GaN/AlInN量子阱结构，进一步提高了对二维电子气的束缚力，从而降低电流坍塌效应。
申请人：中国科学院上海技术物理研究所
地址：200083 上海市虹口区玉田路500号
国籍：CN
代理机构：上海新天专利代理有限公司
代理人：郭英
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