专利名称：一种制作铜互连结构的方法专利类型：发明专利
发明人：王冬江,胡敏达,张海洋申请号：CN201210058770.2申请日：20120307公开号：CN103311174A公开日：20130918
摘要：本发明提供一种制作铜互连结构的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有具有沟槽的层间介电层；形成覆盖所述沟槽的底部和侧壁的阻挡晶种层；采用电化学镀方法在所述沟槽的剩余部分内填充金属铜，以形成所述铜互连结构，其中，在填充所述金属铜之前或填充一部分金属铜之后，采用电磁波照射所述阻挡晶种层或形成的金属铜层至表面熔化后停止照射。本发明在填充金属铜之前或填充一部分金属铜之后，采用电磁波照射阻挡晶种层或形成的金属铜层至表面熔化后停止照射，可以使阻挡晶种层或金属铜层的表面平整，进而避免在后续形成的金属互连结构中存在有不期望得到的空隙，以提高器件的稳定性和生产的良品率。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容