第一层铜互连的制作方法[发明专利]

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专利名称：第一层铜互连的制作方法专利类型：发明专利

发明人：陈玉文,胡友存,李磊,姬峰,张亮申请号：CN201110310442.2申请日：20111013公开号：CN102332427A公开日：20120125

摘要：本发明涉及第一层铜互连的制作方法，该方法在硅片上依次沉积超低介电常数薄膜、超低介电常数薄膜保护膜和金属硬模；涂覆光刻胶，光刻形成第一刻蚀窗口；在第一刻蚀窗口内刻蚀金属硬膜，在金属硬膜中形成第二刻蚀窗口，刻蚀第二刻蚀窗口内的超低介电常数薄膜保护膜和超低介电常数薄膜，形成沟槽；采用电镀工艺对沟槽进行铜填充淀积，化学机械研磨形成第一层铜互连。本发明采用金属硬膜为掩膜，提高了刻蚀的选择比，从而减少了光刻胶的厚度，避免随着线宽的变窄，高的光刻胶倒塌且避免沟槽顶部出现圆角，从而减小漏电流、进而提高可靠性。

申请人：上海华力微电子有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

国籍：CN

代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：陆花

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