专利名称：一种半导体器件结构及其制备方法专利类型：发明专利发明人：不公告发明人申请号：CN201810171911.9申请日：20170630公开号：CN108470686A公开日：20180831
摘要：本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，方法包括：提供一衬底；于衬底上形成栅极结构；于衬底上形成贴附于栅极结构外侧壁的间隔结构，并于衬底上形成贴附于间隔结构外侧壁的接触导电层，其中，间隔结构至少包括第一间隔层及第二间隔层，第一间隔层形成于栅极结构的外侧壁上，第二间隔层形成于第一间隔层的外表面上，第二间隔层的介电常数低于第一间隔层的介电常数，第二间隔层的宽度大于等于第一间隔层的厚度2倍。通过上述方案，本发明的半导体器件结构可以通过间隔结构的优化，降低器件结构中所衍生的寄生电容，从而改善接触导电层电阻恶化的问题，改善器件性能；本发明的半导体器件结构的制备工艺简单，兼容性强，适于大规模工业生产。
申请人：睿力集成电路有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人：佟婷婷
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