（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201580010863.X （22）申请日 2015.09.25
（71）申请人 克劳帕斯科技有限公司
地址 美国加利福尼亚
（10）申请公布号 CN106030713A
（43）申请公布日 2016.10.12
（72）发明人 H·栾;B·贝特曼;V·阿克赛尔拉德;C·程;C·谢瓦利尔 （74）专利代理机构 永新专利商标代理有限公司
代理人 王英
（51）Int.CI
G11C7/00;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
六晶体管SRAM半导体结构及制造方法
（57）摘要
说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管
的两晶体管存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。
法律状态
法律状态公告日
2016-10-12 2016-10-12 2016-11-09 2016-11-09 2019-05-14
公开 公开
法律状态信息
公开 公开
法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
权利要求说明书
六晶体管SRAM半导体结构及制造方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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