专利名称：半导体激光器的制造方法专利类型：发明专利
发明人：中村仁志,阿部真司,西口晴美申请号：CN200810096314.0申请日：20080214公开号：CN101262119A公开日：20080910
摘要：本发明提供一种能够在期望的位置上劈开晶片的半导体激光器的制造方法。在GaN晶片(11)上形成设置了多个脊部(13)的半导体层。在脊部(13)和划线标记(16)之间，与划线标记(16)在同一条直线上设置槽(19)。槽(19)相对于划线标记(16)设置在劈开方向的下流侧上。槽(19)成劈开方向的下流侧端部向外侧凸出的形状，优选该形状的顶点位于要劈开的线上，同时从该顶点延伸的轮廓线不与劈开方向成60度的方向平行。
申请人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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