专利名称：一种多晶硅太阳电池的背场钝化工艺专利类型：发明专利
发明人：林宝剑,谢毅,唐亮,程寅亮,关振华申请号：CN201711067434.3申请日：20171103公开号：CN107819041A公开日：20180320
摘要：本发明公开了一种多晶硅太阳电池的背场钝化工艺，包括以下步骤：S1、背场初级钝化：在太阳电池的背面沉积带有开孔的第一钝化膜层，第一钝化膜层为SiNx薄膜，在开孔内印刷内负电极；S2、镀过渡膜层：在第一钝化膜层上沉积内铝层；S3、背场次级钝化：在内铝层上依次沉积有第二钝化膜层和外铝层，所述第二钝化膜层为氧化铈薄膜；S4、负电极焊接：在外铝层上焊接有外负电极。本发明的背场钝化工艺相比现有的钝化接触工艺与钝化局部开孔接触工艺，太阳电池转换效率得到了很高的提升，而且开路电压和短路电流均得到了很好的优化提高，对生产出的太阳电池质量起到一个非常有效的提高，值得广泛推广。
申请人：通威太阳能(安徽)有限公司
地址：230088 安徽省合肥市高新区长宁大道与习友路交口西南角
国籍：CN
代理机构：昆明合众智信知识产权事务所
代理人：张玺
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