MEMS器件及其形成方法[发明专利]

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专利名称：MEMS器件及其形成方法专利类型：发明专利发明人：李鑫

申请号：CN201710424141.X申请日：20170607公开号：CN10966A公开日：20181214

摘要：本发明提供了一种MEMS器件及其形成方法，包括形成在衬底上的振动膜，所述振动膜包括凸出方向相反的第一突起和第二突起，所述第一突起朝向所述衬底凸出。即，多个突起中，分别向两个不同的方向延伸，从而可避免产生由于波纹而引起的相应方向的内应力，如此一来，不仅可在形成振动膜时有效释放振动膜中的内应力，同时还可避免额外产生内应力，改善所形成的振动膜的变形量以及提高MEMS器件的灵敏度。

申请人：中芯国际集成电路制造(天津)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址：300385 天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号

国籍：CN

代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

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