专利名称：一种逆导型绝缘栅双极性晶体管结构及其制备方法专利类型：发明专利发明人：单建安,冯浩,袁嵩申请号：CN201910069241.4申请日：20190124公开号：CN109860284A公开日：20190607
摘要：一种逆导型绝缘栅双极性晶体管结构及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，针对现有技术RC‑IGBT器件中存在的问题，本发明提供一种新型RC‑IGBT的器件结构及其制造方法，以在有效抑制器件的开启电压折回现象(snap back)的基础上，改善器件内部电流分布的均匀性，减低器件的导通损耗，提升器件的可靠性。本发明提供的技术方案是在n型场截止层的内部设n‑型缓冲层，所述n‑型缓冲层位于n+阴极区之上，且所述n‑型缓冲层的峰值掺杂浓度低于所述n型场截止层的峰值掺杂浓度。
申请人：中山汉臣电子科技有限公司
地址：528437 广东省中山市火炬开发区会展东路16号数码大厦1606号房
国籍：CN
代理机构：深圳市千纳专利代理有限公司
代理人：袁燕清
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