图形化的Si(100)衬底GaN-HEMT外延片及其制备方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201711420113.7 （22）申请日 2017.12.25

（71）申请人 中国电子科技集团公司第五十五研究所

地址 210016 江苏省南京市中山东路524号

（10）申请公布号 CN108231881A

（43）申请公布日 2018.06.29

（72）发明人 王克超;潘磊;董逊;李忠辉

（74）专利代理机构 南京君陶专利商标代理有限公司

代理人 沈根水

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

图形化的Si（100）衬底GaN-HEMT外延片及其制备方法

（57）摘要

本发明涉及一种图形化的Si（100）衬底

GaN‑HEMT外延片及其制备方法，包括Si衬底，图形化表面，外延层，图形化表面位于Si衬底上，外延层生长于图形化表面上；其中外延层由五部分组成，由下向上分别为成核层，缓冲层，GaN层，势垒层，帽层。制备方法包括：1）清洗Si衬底1；2）在衬底上生长氧化硅层掩膜，正胶光刻；3）腐蚀衬底；4）去除残留的氧化硅掩膜；5）利用MOCVD在图形化的Si衬底之上进行外

延；6）清洗外延片。优点：1）采用Si(100)外延衬底实现与现有IC工艺的兼容性。2）外延结构呈现四面体，表面积增加了73%，减小单位器件的尺寸，节约晶圆面积。3）提高了薄膜质量和势垒层AlGaN的压应力，提高器件性能。4）避免对器件表面的损伤，节约生产成本。

法律状态

法律状态公告日

2018-06-29 2018-06-29 2018-07-24

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

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权利要求说明书

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说明书

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