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硅压力传感器的封装结构[实用新型专利]

来源:欧得旅游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:硅压力传感器的封装结构专利类型:实用新型专利

发明人:周敬训,沈蓉蓉,常军,郑金荣,王智申请号:CN201020170825.5申请日:20100421公开号:CN201680940U公开日:20101222

摘要:一种硅压力传感器的封装结构,包括盖板和底座,两者相互连接并形成中部空腔,在所述中部空腔内设置有密封垫和压力传感硅片,密封垫衬在压力传感硅片下方,压力传感硅片的焊盘通过盖板与外电路连接。本实用新型简化了封装结构及生产工艺,材料及工艺成本均大幅度降低,并且具备防过载能力。

申请人:无锡莱顿电子有限公司

地址:214072 江苏省无锡市十八湾路288号湖景科技园9号楼

国籍:CN

代理机构:无锡华源专利事务所

代理人:聂汉钦

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